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在追求亚纳秒（sub-1-ns）编程速度的非易失性存储技术过程中，突破传统非易失性闪存与高速易失性静态随机存取存储器（SRAM）之间的性能限制，一直是存储技术领域长期以来面临的重要挑战。$ p0 U. p, e, _/ N6 `
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借助先进材料所带来的基础物理创新，一系列新型存储器正在被开发，以突破非易失性存储的速度瓶颈。作为应用最广泛的非易失性存储技术，闪存的编程速度受限于电场辅助注入机制的低效率，其报道的速度远慢于亚纳秒水平。
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有鉴于此，复旦大学微电子学院周鹏教授、刘春森研究员等人报道了一种基于二维增强热载流子注入机制、可实现电子和空穴双向注入的二维狄拉克石墨烯通道闪存器件。该器件展现出400皮秒的编程速度、非易失性存储特性，以及超过550万次循环的稳定耐久性。相关研究成果以《Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection》为题发表在《Nature》杂志上。 |
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发表于 2025-4-17 21:23:42
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