新凯来东莞EUV光刻机试产线良品率突破70%。用哈工大LDPEUV光源。

科学家

2025-10-14 00

新凯来采用“深紫外光刻（DUV）+自对准四重成像（SAQP）”工艺，绕开EUV限制，目标实现7nm/5nm制程芯片自主制造。同时，其EUV光源预研（13.5nm等离子体光源）已启动，瞄准3nm以下制程。

新凯来EUV光刻机产线良品率突破70%。这一良率水平被视为技术成熟的关键指标，接近ASML早期商业化阶段的初期表现。

EUV光刻技术采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源技术，能量转换效率为ASML方案的2.25倍，设备体积缩小30%，功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3‌。
采用高能激光直接轰击锡滴，在电极间汽化锡材料后，通过高压放电（电压约10kV）激发等离子体，完全绕过激光轰击AMSL的专利‌。
清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶灵敏度达国际领先水平‌。
新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环‌。。

技术瓶颈‌

当前EUV光源的稳定性、功率输出及光学系统分辨率与国际领先水平存在差距，需通过多次流片验证提升良率‌。

短期‌：聚焦DUV光刻机量产（2026年目标），通过SAQP工艺实现7nm/5nm制程，为EUV技术积累工程经验‌。
‌长期‌：计划2030年前实现EUV关键模块突破，包括光源、光学系统等核心部件自主可控‌
新凯来在2025年湾芯展上发布的“岳麓山BFI”量检测设备，进一步推动国产半导体设备从单点突破向全链闭环发展。新凯来的EUV预研不仅是技术突破，更代表中国从“替代”到“创新”的范式转换。

关注人

新的突破都是会加速涌现的

ls01

那岂不是明年就有3nm芯片了？

ls01

之前普遍预估是2027年有euv生产的芯片出来

nanpanda

非常振奋人心，希望早日突破，彻底击败ASML，击败美帝！

独孤九剑破刀式

EUV必须比美国稀土产业链先出来，只要先出来1年，就占了先机

ls01

独孤九剑破刀式 发表于 2025-10-14 16:41
EUV必须比美国稀土产业链先出来，只要先出来1年，就占了先机

肯定比美国稀土早啊，我把话放这，美国重稀土10年也搞不定

hejicker

看的振奋人心。

congyun

明天在福田展会去看看

cryogenics

新凯来与长春光机所（奥普光电）联合开发EUV光学模组，永新光学供应纳米级镜片，新莱应材提供高洁净真空系统，形成国产化闭环‌。。

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永新光学董事长兼总经理毛磊1982年本科毕业于浙大光电系光学仪器专业

tch7022343

中国人聪明，只要沉下心，弄的出来的，时间而已。最主要还有现在也有钱了，有钱好办事，不比二三十年前

雁塔晨钟

ls01 发表于 2025-10-14 15:58
那岂不是明年就有3nm芯片了？

不太可能，先要产线跑通，然后基于产线的工艺才能去设计那些模拟ip

叶中菩提

过几天上市了，就好割韭菜了，反正这里就有一堆，不割白不割

Seeseesee

新时代的亩产万斤公司

NKU

光学工程强校大放异彩

mike99

非常振奋人心！新凯莱，半导体设备新星（已突破美西方半导体卡脖子的许多领域），我国国产替代自、主可控的典范企业，其产业链100%国产化

murongchun

没啥是不可能的，昨天对隐形飞机仰望，今天我们领跑。

看海

平心而论，技术进步第一功臣是P民，第二功臣是GS韭菜，第三功臣是烟民。第四功臣才是科技工作者。

kjybig

mike99 发表于 2025-10-15 13:04
非常振奋人心！新凯莱，半导体设备新星（已突破美西方半导体卡脖子的许多领域），我国国产替代自、主可控的 ...

不太明白，有人说是宇量升在搞光刻机，上海宇量升由创科微（上海）和深圳新凯来共同出资成立，有哪位大神给讲讲

四蚂蚁

没啥是不可能的，昨天对隐形飞机仰望，今天我们领跑。

kjybig

技术层面的很多看不懂，但确实很厉害