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范绪筠是世界著名半导体物理学家,世界半导体物理开创性人物之一,台湾“中央研究院”院士,在半导体领域有多项里程碑式的研究成果。
1912年,范绪筠出生于上海市,他的父亲曾就学于满清政府举办的外语学堂“同文馆”( 同文馆是清末第一所官办外语专门学校,初以培养外语翻译、洋务人才为目的,后又添设算学馆,教授天文、算学。1902年并入京师大学堂,改名京师译学馆),十二三岁时,被选派为中国第一批留俄学生,学*铁路工程,回国后从事铁路技术工作。曾任中东铁路局局长,中苏理事会理事,是一位正直爱国的知识分子。

范绪筠(左一)范绪箕(左三)和父母姐妺
因为父亲在东北工作,所以范绪筠的青少年时期是在哈尔滨度过的。1933年,毕业于中俄合办的哈尔滨工业大学(哈尔滨工业大学的前身),获得电机工程学士学位,并获奖学金赴美留学。1937年获得麻省理工学院科学博士学位后,应清华大学工学院院长顾毓秀的邀请回国,先后任清华大学和西南联大教授,清华大学无线电研究所研究员。
范绪筠毕生从事半导体物理的理论与实验研究。西南联大期间,生活条件虽然艰苦,既没有资金支持又不能与外界沟通交流,但他还是完成了《固体间电接触的理论》和《金属间以及金属和半导体间的接触》两篇论文,并发表在美国《物理学评论》上。这两篇文章分别定性和定量地讨论了金属和半导体的不同特性,特别是半导体中传导电子的密度可能会出现偏离正常值相当大的现象,对固体电子学的发展及半导体应用发挥了重要作用。

范绪筠夫妇在昆明
范绪筠虽然性情有些急躁,但做研究工作却非常仔细,一丝不苟,在学术上要求极为严谨。1947年他回到麻省理工学院作访问学者。与此同时,普渡大学的物理系主任遂邀请他到该校从事研究,1957年入美国国籍。
这个时期,他研究锗、硅半导体,以光学性质证明半导体有禁带,从实验上证明锗和硅有吸收限。50年代,又对半导体材料各种特性及其晶体缺陷、对多元化合物以及氧化物半导体的拉曼散射和相变等进行研究。他几乎对半导体领域的每一个分支都做出了精辟准确及原创性的贡献,为后来蓬勃发展的半导体集成电路事业奠定了坚实的基础,成为世界知名学者,并荣获了多项科学技术奖。他的发明和成就,建立了半导体物理学领域的诸多里程碑,他关于半导体光学性质的研究与发现、关于半导体红外穿透性的的发现,为固体物理学研究开辟了方向,从而引发了以半导体光学为基础的电子产品新时代。

在普渡大学讲课
范绪筠曾是美国国家研究委员会固体科学小组的成员,1969~1972年任国际纯粹物理学与应用物理学联合会半导体委员会通讯会员,1959~1961年是美国物理学会固体物理行政委员会成员。
普渡大学以范绪筠以为荣,授予范绪筠邓肯物理学杰出讲座教授奖, 1990年授予其普渡大学科学荣誉博士。2000年范绪筠在美国逝世。普渡大学为纪念绪筠建立了以其名字命名的奖学金,保留了以他名字命名的实验室。 |
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