“上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室”学术委员会成立暨第一次会议成功举办

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4月2日，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室（以下简称实验室）学术委员会成立暨第一次会议在上海临港召开。西安电子科技大学郝跃院士、浙江大学杨德仁院士、南京大学祝世宁院士等学术委员会专家，以及上海市科委、临港新片区相关负责同志、上海天岳半导体材料科技股份有限公司（以下简称上海天岳）、中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称上海光机所）及科研骨干代表参加会议。
会上，上海市科学技术委员会副主任屈炜、上海临港新片区综合党委书记朱旭明、天岳先进董事长宗艳民、上海光机所陈卫标书记先后致辞，欢迎各位委员、同行专家，对实验室建设及学术委员会成立表示祝贺，并简要介绍了实验室的战略定位与发展目标。
实验室负责人围绕建设背景、发展定位、研究方向及重点任务作专题汇报。与会专家围绕碳化硅、氧化镓、金刚石材料及器件等方向作专题报告，介绍相关领域最新研究进展与产业应用情况。此外，围绕实验室发展定位、研究方向凝练、关键技术攻关及产学研协同等开展深入研讨，与会专家提出了系列建设性意见建议。
实验室将在学术委员会指导下，持续加强基础研究和关键核心技术攻关，促进科技成果转化与高层次人才集聚，努力建设国际一流的宽禁带与超宽禁带半导体材料研究平台，为提升我国半导体领域创新能力提供有力支撑

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