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历年IEEE ISSCC会议论文大陆高校录用情况(截至2022年)

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发表于 2021-11-3 08:47:43 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
历年IEEE ISSCC会议论文大陆高校录用情况( o9 U( V$ r% C- }$ z

. p$ a. i) t# D: P6 a( S清华  26篇
+ y. c/ k7 x! r) x) d* C复旦  16篇. r. q/ K# }, z8 p# F8 A
北大  11篇" G" g; r. D* H! H) Y$ }: y
电子科大  8篇( y$ @$ Q8 t7 r0 m
浙大   5篇
# z$ u" n$ Z5 ?* L0 c& E& }- T2 m科大   3篇8 z* I4 \! p3 J; ~- S4 X
东南   3篇: Y# j# H! E8 k5 E2 A5 g8 R
天大   2篇" P4 a0 E5 `- W
上交   2篇' w1 q$ I3 b% w. `" r0 n
西交   1篇# I  ^4 R# q5 K

' L3 m4 f/ X, o( H* `7 o2022年,25篇(清华8篇,北大5篇,复旦4篇,浙大3篇,中科大2篇,电子科大1篇,天大1篇,纽瑞芯公司1篇)
+ I5 w( Y3 I, [( K! ~
0 m' t% s7 n# d3 A6 l* i# l( r2021年,21篇(清华6篇,北大4篇,电子科大3篇,浙大2篇,中电科38所、东南、中科大、中科院微电子所、百度、南京低功耗芯片技术研究院有限公司各1篇)2 j/ y( C8 T' b( a) h4 i, z
3 g2 S  K. \# c) B* J' H
2020年,15篇(清华大学5篇,电子科大3篇,北大、东南大学、西安交大、天津大学、复旦大学、上海交大各1篇,还有1篇来自重庆线易电子科技公司), |" F" ^0 O+ v1 X0 f! @5 S
' O6 N2 m! H* [2 U
2019年,9篇(复旦3篇,清华、ADI各2篇,上海交大、东南大学各1篇,上交、东南均为历史第1次)8 w# C2 j, x; G; Z$ e; q/ T$ L
' A6 z( ?1 [) K6 j  M8 S1 g0 l' T
2018年,5篇 (复旦2篇,北大、电子科大、北京ADI各1篇,北大和成电均为历史第1次)
0 h3 A3 J! `/ T- ], k
& Z$ }( A' z6 S3 b8 l; F6 f# r$ D6 c2017年,1篇(北京ADI)0 o: `* g; T1 P; t

, o- [# Z) [4 ^; ~) D& W2016年,2篇(上海ADI,清华大学)0 ]+ t. }- Y- F( w( `/ V3 T  E

$ i4 V6 A/ d+ Q9 ?% j2015年,0篇
5 H8 U/ a& d( |0 y! x1 v. q: z/ d
- f+ m  e* b: Z+ b. i" ~, C) ]2 P2014年, 3篇(复旦大学、中科院计算所、清华大学)
) u' U5 A& X' ^7 X* t; a6 Z4 R9 `8 @7 j' o# U* O5 z6 ~2 p) T
2013年,3篇(复旦大学2篇,中科院计算所1篇)" N  @" s' m- o9 k1 m( i
( J1 q6 ?3 r2 L) Z! b) ?* F
2012年,1篇(复旦大学)
5 Q/ v9 D7 X" Y0 z: }! @# a
1 `2 V0 C- [1 T% O* z- Q( K2011年,3篇(复旦大学、中科院/龙芯、清华大学)
5 q" x, m5 f) d$ U; R
" n  B, o* K7 n7 \' g& Q( a8 |# s2010年,0篇# l  I- I. M6 X6 m  ?
  U- b, K& j4 X$ c, C* \$ K& R
2009年,2篇(复旦大学、清华大学)
' r0 b' j4 l6 f. l: Y# ~: V
6 @% P6 e' [% Y4 r6 @- f2008年,1篇(清华大学)# T0 }( J+ c9 O, z! O8 M* k' E

; b  d' t3 g9 g- M0 D! Z% W2007年,1篇(上海鼎芯)+ Z% ^: P2 V! U* `: c
8 `2 h$ u% {9 ]1 @" w  F
2006年,1篇(中科院半导体所)
  c) ?) C/ s+ c6 ~
7 V8 z5 ^7 F+ o1 S2005年,1篇(上海新涛)
0 j. B3 X- t$ u* k: y+ j0 b# w6 X0 F$ \) r8 l2 m
% g1 ~. J( }7 k
ISSCC是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的缩写,是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,被认为是集成电路设计领域的“世界奥林匹克大会”。  8 P) a$ ]+ h6 I9 f- h- i9 U

3 b# M4 b; m6 B7 G5 }0 N始于1953年的ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)国际固态电路年度会议,通常是各个时期国际上最尖端固态电路技术最先发表之地。由于ISSCC在国际学术、产业界受到极大关注,因此被称为集成电路行业的奥林匹克大会。每年吸引了超过3000名来自世界各地工业界和学术界的参加者。3 W1 S9 n6 {. \  \; D6 L8 \
; A; L' e2 d2 a% f* P
在ISSCC60年的历史里,众多集成电路历史上里程碑式的发明都是在这上面上首次披露。比如世界上第一个TTL电路 (1962年),世界上第一个集成模拟放大器电路(1968年), 世界上第一个1kb的DRAM (1970年), 世界上第一个CMOS electronic wristwatch (1971年), 世界上第一个8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一个32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一个1Mb的DRAM (1984年), 世界上第一个1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一个集成 GSM transceiver (1995年), 世界上第一个GHz的微处理器 (2002), 世界上第一个多核处理器 (2005)

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发表于 2021-11-3 10:33:03 | 显示全部楼层
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