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发表于 2025-8-22 11:53:30
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还有生科院 加正平
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: s7 x/ H) }* o4 W, l7 {还有集成电路学院五位：7 p7 o1 h. I$ t0 W* V1 c
& C! m. f d% Z }& e本周一次性更新了5位国家级青年人才:
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1.李旻
# n, |" r% R3 U- X0 T现东南大学集成电路学院研究员、博士生导师，入选国家高层次青年人才计划。2018年获得上海交通大学电子科学与技术专业本科学位，2023年获得香港中文大学（QS排36）计算机科学与工程系博士学位，并于华为诺亚方舟实验室担任主任工程师，负责参与国产自研硬件形式化验证工具，服务于华为多款高性能处理器验证。主要研究领域为人工智能辅助电子设计自动化（EDA）、面向计算芯片的高效形式化验证、人工智能驱动的新一代硬件形式化验证工具等。近五年发表EDA与AI领域顶会，电路表征学习DeepGate系列研究获得了DAC'22最佳论文提名和来自海思和港府多项研究资助。
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9 `' b: v' p o3 o6 U8 e5 j2.徐涛1 J; n( o7 G* m' F* W. q% \
东南大学青年首席教授，博士生导师。2009年本科毕业于东南大学电子科学与工程学院，2014至2015年于美国劳伦斯伯克利国家实验室联合培养，2016年博士毕业留校任教至今。主要从事纳米尺度加工方法与原理以及器件行为与物理机制的显微学研究。发表论文100余篇，包括Nature、Nature Materials、Nature Communications、Advanced Materials等，引用9000余次。! i7 J( X" |# n$ r* `
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3.张龙- H& z# J+ ]. r& s/ v9 _* Q w4 a
东南大学青年首席教授，国家高层次青年人才，博导。中国电子学会高级会员，IEEE Member。主持国家自然科学基金1项，中国博士后科学基金面上基金和特别资助各1项，江苏省博士后科研资助项目1项，参与国家/省部级项目4项。 从事过600V超结VDMOS，80/40V Trench gate DMOS，600V/1200V体硅高低压集成工艺与器件，550V SOI全集成工艺及高压器件等项目的研发。目前从事SOI高压器件，SiC集成器件和工艺，GaN集成器件和工艺的开发和研究。. H5 R) O7 R. R; |; Q+ s @
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4.吴汪然
2 d8 v" T) V5 t5 q集成电路学院，副教授，博导，分别于2011年、2016年在南京大学获得学士学位与博士学位，入选国家级青年人才、江苏省333高层次人才工程。 研究方向为柔性电子器件、电路与系统的设计和制备。主持国家和省部级项目7项，以第一/通讯作者在IEEE IEDM、Symp. on VLSI、IEEE TPE/EDL/TED发表论文20余篇，2篇论文入选IEEE EDL封面Highlight论文，担任IEEE IRPS会议Session主席和TPC，获2021年江苏省科学技术二等奖。: n0 ]) t0 u& R4 y1 L9 n* x% D) W
+ {, m9 L, K; x' q' y- U5.朱自然2 l- P6 R Y4 e5 j( T
现东南大学集成电路学院青年首席教授，主要研究方向为集成电路电子设计自动化（EDA）布局布线、布图规划等。在EDA领域主要会议/期刊（例如：DAC，TCAD，ICCAD，TODAES，TC等）发表四十余篇论文，包括EDA领域顶会DAC 11篇和顶刊 TCAD 7篇。2017年获第54届设计自动化会议DAC最佳论文奖（中国大陆高校首次以第一单位获得该奖项）；2017-2018年分别获得第36届和37届国际集成电路计算机辅助设计竞赛(CAD Contest @ICCAD) 第一名（该赛事中国大陆首次夺冠）；2020年获中国运筹学会科学技术奖运筹应用奖；2022年CAD Contest @ICCAD第二名；2023年MLCAD Contest第一名。主持国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金和江苏省自然科学基金等项目，并和多个企业有紧密合作。
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