|
|
发表于 2023-8-28 23:41:24
|
显示全部楼层
本帖最后由 大师大楼 于 2023-8-28 23:42 编辑 % L0 D5 l+ M. K. x1 J# @
$ {$ z6 o$ [# S' ^4 J$ a
3 `# b( w" u$ z* i' B% Y
4 Z' T. Q0 E6 F- I: S0 O
! V! A/ G; s' m* u
3 Z! S* z7 W9 y0 p: N- r1.项目批准号：62332004批准年份：2023年学科分类： F.信息科学部
- l) v( h0 ~5 q$ J6 R# K* B负责人：陈厅省份：四川依托单位：电子科技大学0 y; _+ Q. o; u1 o
资助金额：232万元资助类别：重点项目
9 V |) r7 U4 i4 ^" S# |# L& @) y, N' H( B' S
2.帕金森病脑网络智能构建与干预
! E5 @; T" z2 U/ ~; K+ g2 t: _8 @0 D项目批准号：62333003批准年份：2023年学科分类： F.信息科学部
% f. s2 k0 o+ h* h* j( k负责人：陈华富省份：四川依托单位：电子科技大学
6 [+ S/ _2 U6 R资助金额：241万元资助类别：重点项目7 ?3 `9 B1 b, Q; g
9 S/ @& b H2 n9 a3. 高耐压低导通氮化镓功率器件电荷调控机理与新结构
+ M; i$ S* A5 h |项目批准号：62334003批准年份：2023年学科分类： F.信息科学部8 C' P8 ~$ k$ ^* h
负责人：陈万军省份：四川依托单位：电子科技大学
# D, W* `% c- D8 L* J; f: a资助金额：230万元资助类别：重点项目* H) Z8 J6 ~; b1 p! g, J; ^$ \
2 ?2 Z) ]1 P/ X# z: C( t. U# {4. 瞬态极端应力下高功率SiC MOSFET时空演化损伤机理与加固技术/ V& D- U7 L& r& y: n6 A
项目批准号：62334004批准年份：2023年学科分类： F.信息科学部
- @- z7 ^% P' Q* [* q负责人：邓小川省份：四川依托单位：电子科技大学- N. D3 _% p" a- E p6 N
资助金额：219万元资助类别：重点项目: }& M" Y5 M, G; s( E3 C
9 g# T! d: L2 Y7 f$ H# K
5. 面向突发灾害的城市电力网络多尺度韧性提升与应急资源调度策略研究. T( D# P2 o* o1 R$ Y* g* A- ^# B
项目批准号：72331002批准年份：2023年学科分类： G.管理科学部6 O# A) C3 X3 w7 m4 h) A
负责人：刘宇省份：四川依托单位：电子科技大学& c6 O8 \; E$ M1 A1 f& L: [- r
资助金额：165万元资助类别：重点项目
+ P6 D( G' v5 k! V, q9 G
, }) y2 q8 w* U8 D" }6. 脂代谢在原发性开角型青光眼发生中的作用机制及治疗9 y6 a% p0 q/ f- R- O6 B
项目批准号：82330030批准年份：2023年学科分类： H.医学科学部
6 x% ]) F& e, A; m" r0 l0 q! F负责人：杨正林省份：四川依托单位：电子科技大学
) H# R& Q7 r# w: Q资助金额：220万元资助类别：重点项目
+ Z7 z D" X0 v# b: l7 R- U) d# S; I, }
0 }" b' K5 e& i3 G$ I; n8 X) X |
|
楼主
