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发表于 2024-8-3 14:20:48
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本帖最后由 lxw 于 2024-8-3 14:24 编辑 ' i2 j, Z" o/ B% ]4 Y. H. p3 }) S" l
' U1 Y2 ^1 b# Z1 q9 a2 W, x, T徐尉宗 准聘副教授(电子)+ t- N3 j* }" M( h& V+ D5 a
% e' p, x# G& b教育背景:
5 G0 B5 Z' b; X2 u本科:南京大学 a2 A! s8 x' ~& O0 ?& S
博士:南京大学+ l( ^: S% x( T
' ?# X+ t5 ]8 F1 T2 S: ]
工作经历:
& R i- j1 ~; D) M, l/ q k% x" G2017-2023年 南京大学 副研究员: a# M7 p. i, S8 Z9 G7 V
. f' f8 @; }2 r' g9 |& y研究方向:" g# D3 l1 ~: _2 c: L7 c
GaN基功率电子器件、宽禁带半导体基光电子器件。
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( D( e- m; q3 j8 a) Z- ]- P2 S代表文章:( j, h2 E. ^3 `, q, ^: S
IEEE EDL/TPE, Nano Letters等。; s# C8 G- `. |8 _: o2 t4 Z
! M* U0 D$ v0 l, W) p! O
主持项目:8 g/ A1 p" d$ Y8 K6 m( r3 W
国自然青年基金 2020年
, z* w+ m1 b; Q) ]4 Z国自然面上项目 2023年 |
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