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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:
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) h2 ?) H' ?# p$ O. m氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频( w J& z7 K4 L2 }% y
氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;/ r( b% h; e& w9 e
碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士$ v4 @1 J7 d. n$ `6 a* e/ Y: m
碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
& k% y8 ]) j$ O. k; s氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马4 ]9 g4 L) M* U' w! Q4 H6 [
) S: S" B$ T; B4 y K8 m+ y其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院$ w( g* m- g& C/ C* B
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