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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:5 i" y. f$ R0 y, S8 q* L. M
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氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频; V& n) ^$ H4 x, i# P
氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;
. }7 w6 W, Q) i" x2 L: G2 C# V碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士
0 H6 Z2 k4 U5 n( B7 @2 y碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
' `! S! ?8 x1 w. P8 d氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马1 j% s( _( p4 V0 _' j
% D9 L8 {# N7 m9 ~+ b. A& u- W2 F其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院
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