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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:: k/ Q0 H @; G+ ~2 T& ?# w
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氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频& @/ U8 n8 A& O% k. N! R8 m
氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;
3 e: M f) H8 F碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士
+ C- r4 b" d" X+ o* }( V( L碳化硅有点复杂,里面有一部分军工9 Q- v& {% l( _: ?
氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马2 Q* @: n- Y9 a3 _$ S
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其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院 h, _1 v6 o5 J; [5 Z9 Y/ o& E5 P
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