|
|
发表于 2025-8-22 11:00:29
|
显示全部楼层
西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:
5 C/ P2 d: M, z) l! L$ c4 O2 g0 M" X* r
氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频
5 `! c, l% p' R- H氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;7 G7 g+ Z& _( U
碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士
, p- {6 y5 l; V1 ?碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
6 o; A! D- \( E% Q* A* c氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马/ u' e3 }8 j6 F0 S1 p
; v- L6 J, a8 @$ a. `! S
其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院
* I( t v6 }5 q: J: I: V3 @* r$ t: M |
|