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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:
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- P z( E# S J1 V* x( {" b氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频
$ s8 s) V1 J [+ @- H氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;
. P& K3 b/ j( l& k7 |8 T( i9 A2 E碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士
. J) \$ V0 q! z& ]7 O$ b碳化硅有点复杂,里面有一部分军工8 D/ n$ j) E3 x; F/ \
氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马
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+ d" b% S0 o1 i其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院
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