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发表于 2025-12-17 16:16:18
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本帖最后由 rlwd12345 于 2025-12-17 16:19 编辑 9 i; B0 k2 I4 ~2 J
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2027年有一定希望的院士选手（二）9 l9 {7 i. E3 u: n
徐现刚老师，1965年：& j2 Y5 c% d/ r8 ?! j; o
2023年8月，陈增敬是2023年中国科学院院士增选有效候选人（特别渠道）。
( D. p; N W9 i/ G* U8 C8 A2025年8月，入选2025年中国科学院院士增选有效候选人名单（科协提名）。
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' C3 j+ e* ^& |& r& c# u! P* b徐现刚，山东大学教授、博导，晶体材料全国重点实验室主任、新一代半导体材料研究院院长、南砂晶圆联合创始人。教育部“长江计划”特聘教授，国家杰出青年科学基金获得者，科技部“973“计划首席科学家，国家科技重大专项负责人。曾任国务院学位委员会委员，国家“863”计划半导体照明工程重大项目总体专家组专家，享受国务院政府特殊津贴，全国优秀科技工作者。自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料外延及器件研究工作，应用到半导体激光器、发光二极管、异质结晶体管等多种半导体器件。自2000年开始进行SiC单晶生长、加工研发及产业化工作，先后突破了2-8英寸SiC单晶生长技术，解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题。先后承担多项科技部重大项目、863、973、国家科技重大专项及自然科学基金等，解决了宽禁带SiC单晶制备和衬底超精密加工难题，推动了国产半绝缘SiC单晶衬底的国产化。攻克了高功率半导体激光器灾变损伤及热饱和两大难题，实现砷化镓基高功率半导体激光外延材料和芯片的国产化。
3 M0 u; N( S# F2 c0 _ A8 b' {长期从事化合物半导体材料研究，面向军用雷达和激光武器的国防战略需求，开拓了以碳化硅单晶与砷化镓基薄膜材料制备及应用为特色的研究方向，解决了相关理论、装备、材料等方面关键问题，并实现产业化，填补国内空白。突破了半绝缘碳化硅单晶衬底制备技术，打破国外技术封锁，满足了军用雷达核心材料急需，使我国成为继美国后全球第二个掌握高纯半绝缘碳化硅制备技术的国家；攻克砷化镓基高功率半导体激光材料及芯片技术壁垒，满足了高能激光武器的重大需求。签订军令状，承担了7**工程国家重大攻关任务“8英寸***”，单项经费5亿元。
: _$ z8 J8 b6 v. ]/ X) O7 ?研究成果获得国防科学技术进步一等奖、山东省技术发明一等奖、省科技进步一等奖、中国第三代半导体技术十大进展等。获国家发明专利100余项，发表论文200余篇。. G9 a: o4 i7 E9 |% D' W, {5 Z& s
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; h. _" B. }' x3 c2027年徐老师61岁，是第三次连续参选，大概率最后一次机会。第三次是走特别渠道还是院士推荐？？院士推荐可以争取薛其坤（校友、同学部）、陈小龙（校友、同学部）、张荣（前校长）三位院士推荐，这三位影响力大、背后势力庞大。这两年也是得报各种奖、进展，最近连省部级一等奖也没见申报，加快产业化进程，增加重量级荣誉。缺少国家奖是硬伤，在同领域的2025年国家奖获得者也会形成新的竞争。
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