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发表于 2025-5-20 11:02:40
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virtual 发表于 2025-5-19 21:17
& U; n1 C7 F7 q1 k/ \5 ]8 i2 F晶体全重新官网：https://sklcm.sdu.edu.cn/index.htm$ }3 b' W+ S& A1 e
不过新官网里的杰出人才相比之前变少了一些 ...
徐现刚教授自2000年开始进行宽禁带半导体碳化硅单晶的研究，在碳化硅生长机理、高纯半绝缘创制、装备研发及产业化方面取得了系列创造性成果。针对碳化硅单晶“长不出、长不好、难加工”的重大挑战，提出了成核控制、能级补偿和位错复合的学术思想，发展了气相单晶生长和宽禁带半导体能级调控理论，先后突破了2-12英寸碳化硅单晶生长技术，在我国首次攻克了高纯半绝缘碳化硅晶体制备系列技术壁垒，获得了高纯半绝缘碳化硅，应用于雷达系统的核心器件，已全面列装到歼-20战机、空警500A预警机、航空母舰和东风导弹等我军主力装备。专利成果先后转让天岳先进和南砂晶圆等龙头企业,培养了本领域一批产业领军人才，打破国外封锁，实现自主可控，为我军武器装备建设做出重大贡献。承担科技部重大攻关***任务、核心电子器件重大专项、973计划、重点研发计划及自然科学基金等项目。
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自1989年至今一直从事化合物半导体薄膜材料外延及器件研究工作，应用到半导体激光器、发光二极管、异质结晶体管等多种半导体器件，攻克了高功率半导体激光器腔面灾变损伤及热饱和两大难题，实现了砷化镓基高功率半导体激光外延材料和芯片的国产化，服务激光武器等国家重大工程。
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6 [" t% c( Y; u- F( ~0 A徐老师介绍变化不少啊。3 z( ]/ a, X) J" A+ ~& m( _
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