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【首发|IEDM 2026放榜】北京大学23篇蝉联全球第一,三星电子与台积电并列产业界榜首
" P! [3 G- V. ^$ B/ m4 [& I微扬智源 2026年9月2日
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0 L7 h: M0 X/ }& nIEEE国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)是全球半导体器件领域最具影响力的学术会议之一,被誉为半导体器件研究的“奥林匹克盛会”。
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; Z5 O- K- f7 `! w近日,IEDM 2026技术论文议程正式公布。本文基于IEDM 2026官网议程数据,对全球论文分布、头部机构表现、中美研发力量以及重点技术方向进行梳理。
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: @) b# l* }5 n& q F" p& f) T2 c全球概览
4 k/ D7 b e5 M/ h- X+ s5 E280篇技术论文,覆盖15个国家和地区。按照官网技术论文条目统计,IEDM 2026共收录:( X( K7 f+ o q4 E# \3 T3 U
280篇技术论文,40 Technical Session,1个Keynote Session,1个Panel Session,102个第一作者首列机构,覆盖15个国家和地区4 F E; _9 J. L" g
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从第一机构类型来看,高校贡献167篇,占59.6%;科研机构贡献43篇,占15.4%;企业贡献70篇,占25.0%。高校与科研机构合计仍占75%,继续构成IEDM论文产出的主体力量。- V2 o+ l% `: O3 {6 b4 Y5 M3 r8 Y
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中国相关地区共入选119篇,占全球42.5%% d/ ]9 s$ c% [/ U
按照第一机构所在国家或地区统计,中国内地入选83篇、中国台湾26篇、中国香港10篇,合计119篇,占全部论文的42.5%。
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" J2 b9 B7 \6 p+ U$ I' j* D中国内地共入选83篇论文,来自23个第一机构,完整名单如下:
7 l$ _/ W* k0 r北京大学23篇、中国科学院微电子研究所10篇、清华大学8篇、复旦大学7篇、中国科学技术大学6篇、南京大学4篇、东南大学3篇、西安电子科技大学3篇、北京航空航天大学2篇、上海交通大学2篇、深圳平湖实验室2篇、浙江大学2篇。6 c# H2 V m4 q' E$ \" V1 K3 r! o. r
2 K2 Q( ?/ ~ V& t此外,以下11家机构各入选1篇:北京理工大学、北京超弦存储器研究院、华中科技大学、南京电子器件研究所(中国电子科技集团公司第五十五研究所)、山东大学、华南理工大学、自旋芯片与技术全国重点实验室、西湖大学、厦门大学、苏州能讯高能半导体有限公司、格科微电子有限公司。: r/ z2 p1 J- B8 f# z
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中国台湾
9 \) T0 d/ G' Z中国台湾共入选26篇论文,来自8个第一机构:
/ G& B* L$ E; K0 Y台积电11篇、台湾大学5篇、阳明交通大学3篇、成功大学2篇、台湾清华大学2篇、长庚大学1篇、力旺电子(eMemory Technology)1篇、旺宏电子(Macronix)1篇。6 l9 i/ [( T& {. Y6 n& @. W
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中国香港
& L- ?1 C/ [* q: X H中国香港共入选10篇论文,来自2个第一机构:% z0 Q9 F. ^5 r9 J$ y1 Q
香港科技大学5篇、香港大学5篇。
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中美对比
0 q" x4 \$ G2 n" P0 j- L美国共入选53篇论文,来自29个第一机构。领先机构包括佐治亚理工学院6篇,普渡大学、斯坦福大学和圣母大学各4篇,IBM与加州大学伯克利分校各3篇。 |
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