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【首发|IEDM 2026放榜】北京大学23篇蝉联全球第一,三星电子与台积电并列产业界榜首
# {8 }, M# s6 c) H. T9 P+ m微扬智源 2026年9月2日3 ? L2 w w& _& y$ l; S
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IEEE国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)是全球半导体器件领域最具影响力的学术会议之一,被誉为半导体器件研究的“奥林匹克盛会”。% j0 O/ F0 ?5 N# w6 [
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近日,IEDM 2026技术论文议程正式公布。本文基于IEDM 2026官网议程数据,对全球论文分布、头部机构表现、中美研发力量以及重点技术方向进行梳理。% k) x! |- |- R! T
4 T7 I7 b8 M6 _/ h/ t; T6 `5 I全球概览
/ `4 U; I, p4 N280篇技术论文,覆盖15个国家和地区。按照官网技术论文条目统计,IEDM 2026共收录:: d- o. t, V1 f0 e. O
280篇技术论文,40 Technical Session,1个Keynote Session,1个Panel Session,102个第一作者首列机构,覆盖15个国家和地区4 x9 L0 u# c, m ~1 h
/ q5 M$ M; V1 V+ U2 b2 d从第一机构类型来看,高校贡献167篇,占59.6%;科研机构贡献43篇,占15.4%;企业贡献70篇,占25.0%。高校与科研机构合计仍占75%,继续构成IEDM论文产出的主体力量。
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中国相关地区共入选119篇,占全球42.5%4 k- ?( K/ |( ^- k
按照第一机构所在国家或地区统计,中国内地入选83篇、中国台湾26篇、中国香港10篇,合计119篇,占全部论文的42.5%。
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中国内地共入选83篇论文,来自23个第一机构,完整名单如下:
o2 M/ H1 w5 m+ m( j北京大学23篇、中国科学院微电子研究所10篇、清华大学8篇、复旦大学7篇、中国科学技术大学6篇、南京大学4篇、东南大学3篇、西安电子科技大学3篇、北京航空航天大学2篇、上海交通大学2篇、深圳平湖实验室2篇、浙江大学2篇。5 J9 I; ^/ c+ R. q" y& M7 F; f
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此外,以下11家机构各入选1篇:北京理工大学、北京超弦存储器研究院、华中科技大学、南京电子器件研究所(中国电子科技集团公司第五十五研究所)、山东大学、华南理工大学、自旋芯片与技术全国重点实验室、西湖大学、厦门大学、苏州能讯高能半导体有限公司、格科微电子有限公司。# {% M# T3 [/ U1 s# }. H4 Q
( {' D* ^2 \4 v中国台湾( m0 O; M+ g! j9 Z% w
中国台湾共入选26篇论文,来自8个第一机构:- R8 ]% `1 v6 {
台积电11篇、台湾大学5篇、阳明交通大学3篇、成功大学2篇、台湾清华大学2篇、长庚大学1篇、力旺电子(eMemory Technology)1篇、旺宏电子(Macronix)1篇。% p) z8 d6 w& A* S5 x( d; P
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中国香港
7 m8 I* y9 {' r中国香港共入选10篇论文,来自2个第一机构:
* L6 F# M9 `& c; d7 _8 Q+ S' G$ v香港科技大学5篇、香港大学5篇。
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中美对比
% P: [/ `+ j P- c7 n# [" u: P) d美国共入选53篇论文,来自29个第一机构。领先机构包括佐治亚理工学院6篇,普渡大学、斯坦福大学和圣母大学各4篇,IBM与加州大学伯克利分校各3篇。 |
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