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【首发｜IEDM 2026放榜】北京大学23篇蝉联全球第一，三星电子与台积电并列产业界榜首( j6 h* u+ I$ k0 U3 S) v
微扬智源 2026年9月2日
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7 O" q: W. V8 e( @# a6 A& LIEEE国际电子器件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM）是全球半导体器件领域最具影响力的学术会议之一，被誉为半导体器件研究的“奥林匹克盛会”。* v& x$ n( ?3 i" F+ z
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近日，IEDM 2026技术论文议程正式公布。本文基于IEDM 2026官网议程数据，对全球论文分布、头部机构表现、中美研发力量以及重点技术方向进行梳理。4 O6 D4 p5 H" D* b% @9 C) \7 v1 k! O
1 ]! }! {: e6 w/ e+ H全球概览& k0 e W6 l2 P
280篇技术论文，覆盖15个国家和地区。按照官网技术论文条目统计，IEDM 2026共收录：
8 l* N z0 c" }280篇技术论文，40 Technical Session，1个Keynote Session，1个Panel Session，102个第一作者首列机构，覆盖15个国家和地区8 |. k! I! U- H4 _
' Y1 a; u& T, ^) @# j- X! @7 e从第一机构类型来看，高校贡献167篇，占59.6%；科研机构贡献43篇，占15.4%；企业贡献70篇，占25.0%。高校与科研机构合计仍占75%，继续构成IEDM论文产出的主体力量。4 t# x! ^& C, l7 r3 K
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中国相关地区共入选119篇，占全球42.5%3 K. Q2 E1 q; P+ ~, j1 H* c
按照第一机构所在国家或地区统计，中国内地入选83篇、中国台湾26篇、中国香港10篇，合计119篇，占全部论文的42.5%。
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- X: M' y2 L" Q6 c中国内地共入选83篇论文，来自23个第一机构，完整名单如下：. j0 R h) D. K* k3 y
北京大学23篇、中国科学院微电子研究所10篇、清华大学8篇、复旦大学7篇、中国科学技术大学6篇、南京大学4篇、东南大学3篇、西安电子科技大学3篇、北京航空航天大学2篇、上海交通大学2篇、深圳平湖实验室2篇、浙江大学2篇。
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0 d2 i$ ~9 K( J9 Z2 y此外，以下11家机构各入选1篇：北京理工大学、北京超弦存储器研究院、华中科技大学、南京电子器件研究所（中国电子科技集团公司第五十五研究所）、山东大学、华南理工大学、自旋芯片与技术全国重点实验室、西湖大学、厦门大学、苏州能讯高能半导体有限公司、格科微电子有限公司。
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( d- x7 G* r, u% V" Z6 S中国台湾
5 p; D) \" M2 G% a4 v( A中国台湾共入选26篇论文，来自8个第一机构：
5 V& W9 y/ }1 `3 `台积电11篇、台湾大学5篇、阳明交通大学3篇、成功大学2篇、台湾清华大学2篇、长庚大学1篇、力旺电子（eMemory Technology）1篇、旺宏电子（Macronix）1篇。
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中国香港- t& ~3 V' `# C, z5 J+ @( T
中国香港共入选10篇论文，来自2个第一机构：
8 J' Z- c8 G* R( d& \香港科技大学5篇、香港大学5篇。
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1 `0 X/ {) V( _, e6 N3 _& f/ K中美对比
7 o% t' B6 i/ _ `& G美国共入选53篇论文，来自29个第一机构。领先机构包括佐治亚理工学院6篇，普渡大学、斯坦福大学和圣母大学各4篇，IBM与加州大学伯克利分校各3篇。 |
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发表于 2026-9-2 08:19:49
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