【气有浩然】山东大学2025年度发展概况

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集成电路学院刘超教授团队联合华为技术有限公司研制了世界首款1200V垂直型硅基氮化镓晶体管，为宽禁带半导体在中高压场景的低成本商业化应用提供了全新路径。相关成果发表在第37届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD）以及电子器件领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters，Applied Physics Letters。这是山东大学第二年以第一作者和通讯作者单位在功率半导体顶级国际会议ISPSD发表论文。上述系列文章的第一作者为山东大学集成电路学院2023级博士研究生马宇川，通讯作者为刘超教授。在国家和省级科技计划项目的支持下，山东大学联合华为技术有限公司基于大尺寸、低成本的硅衬底，率先攻克了导电缓冲层以及氟离子注入终端技术，开发了垂直型GaN功率晶体管的外延生长及器件制备工艺，研制出世界首款1200V垂直型硅基GaN晶体管。该器件的耐击穿、导通电阻等性能与基于GaN衬底的垂直型GaN晶体管相当，但成本大幅降低，为千伏级电力电子系统提供了高性能、低成本的核心半导体元件。