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2025年度中国第三代半导体技术十大进展# U. e5 c* w' l
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" O& |7 X" f* V4 J5 @1、全系列12英寸碳化硅衬底全球首发5 A+ k' ?8 P' D! ?
山东天岳先进科技股份有限公司
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0 ^5 H. z; L$ q2、万伏级碳化硅MOSFET器件的研制及其产业化技术4 U% P8 H/ o3 f) a. K, p* m
浙江大学盛况团队
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3、基于氮化镓 Micro-LED的高速，低功耗光通信芯片技术
. p u0 U3 R+ B6 l! v南京大学、复旦大学、厦门大学、吉林大学、南京邮电大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）: Z; u* m, p: X$ W1 W* l: X
$ t, G2 M9 |. g( S3 b4、8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破
# e: k9 N# I% W# o$ v- f7 O杭州镓仁半导体有限公司9 G3 P2 O. c3 g; a
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5、低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术) v7 S) W. K4 v9 M- g& l
山东大学徐现刚团队
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) J* f9 d2 ^. y" ]- i' ^6、8英寸碳化硅Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发3 a3 ^5 q& U8 W
深圳平湖实验室、深圳市鹏进高科技有限公司
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1 e! U0 s5 f/ I7、国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破! @! w1 I* G4 p/ y8 P% m. F! ?
三安光电、中微公司 % L& z1 N4 F$ B
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8、AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术研究
6 q* M) s1 Z7 B8 t, D华中科技大学、华中科技大学鄂州工研院技术研究院、优炜芯( }9 {9 j9 ^0 L$ Y6 F3 y, S. r
8 R9 t$ C% O& v" D c4 ]7 o' h9、III族氮化物半导体强极化的实验测定" O. u( O# m' J( k2 m2 F. _
北京大学、华东师范大学联合研究团队
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- h) |9 D4 X6 g. M& I% V10、氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术$ d6 G1 X- I4 ~/ k1 ~5 H7 |! v) {
南京大学、厦门大学、元旭半导体、国兆光电! J: L: v7 S5 }* M1 ]# E5 |# E
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http://www.casa-china.cn/plus/view.php?aid=987. H2 n/ L0 [* x5 I4 b* C
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发表于 2025-12-9 20:52:41
