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发表于 2025-12-12 15:34:52
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2025年度中国第三代半导体技术十大进展
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1、全系列12英寸碳化硅衬底全球首发 ^6 s6 @* g( G) U6 U* f
山东天岳先进科技股份有限公司
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9 j( x/ m/ o' P8 O2、万伏级碳化硅MOSFET器件的研制及其产业化技术
9 B4 a8 [$ w2 c. ]$ f浙江大学盛况团队
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0 S* @1 t$ G. O' m' N. J/ i3、基于氮化镓 Micro-LED的高速,低功耗光通信芯片技术
/ _. R) I$ R A南京大学、复旦大学、厦门大学、吉林大学、南京邮电大学、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)
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4、8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破
! S9 e2 N+ y/ A$ w4 Y3 ]. P' M杭州镓仁半导体有限公司.( _4 a" `% O! [
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5、低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术1 K$ j I( c0 @, y! R& }
山东大学徐现刚团队
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6、8英寸碳化硅Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发8 S1 ]2 n/ q& J5 H" Y& c
深圳平湖实验室、深圳市鹏进高科技有限公司
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. o& s4 V- U; J5 e: G- _$ Y) x7、国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破
/ X- Y. G$ ]- k0 u三安光电、中微公司 1 t5 M0 ?5 H8 `# j7 l, H
8 E, ^" Z) x1 y4 s1 ^ M2 i8、AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术研究* C: o( G+ v8 a8 h! `
华中科技大学、华中科技大学鄂州工研院技术研究院、优炜芯
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9、III族氮化物半导体强极化的实验测定
3 A+ J, M+ I- A% }# p9 t北京大学、华东师范大学联合研究团队
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10、氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术; n& U1 b( Z; C( E. l6 \+ T _3 ^- l
南京大学、厦门大学、元旭半导体、国兆光电
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