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发表于 2025-12-12 15:34:52
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2025年度中国第三代半导体技术十大进展' q! F: u! v5 D6 b3 i3 R
4 k0 e0 x; Q T% X" J1、全系列12英寸碳化硅衬底全球首发0 A3 L, R3 B$ O
山东天岳先进科技股份有限公司) a4 y9 x9 j& \7 W1 g" V) X7 R) H
% |. J# N. B) U! S) @2、万伏级碳化硅MOSFET器件的研制及其产业化技术
4 E. x# J0 ?" j) K* `) Q2 Q浙江大学盛况团队! W" @* @1 q, x
& c( C7 L" C: J& ^3、基于氮化镓 Micro-LED的高速,低功耗光通信芯片技术1 r5 ]+ b6 ?- v/ |$ X: t' T0 w& L
南京大学、复旦大学、厦门大学、吉林大学、南京邮电大学、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)
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1 y3 ^1 [6 R# L# Y" f6 m$ f4、8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破
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: R" |$ p6 D/ J5 x& b' @5、低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术6 R s. e9 x. ^5 A( f
山东大学徐现刚团队
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6、8英寸碳化硅Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发. i4 }: @/ J6 L! m" `: ]: c8 e& R
深圳平湖实验室、深圳市鹏进高科技有限公司
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4 o# L) X4 Z+ ~$ r2 I& i. l" a7、国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破6 X$ o9 ]" T" K( Y7 l
三安光电、中微公司 0 Z+ G9 h2 `8 y1 }" T7 s5 ?
, R0 }+ T1 w, p& ~$ D8、AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术研究# A5 C8 F7 w! J# K+ Z3 b. S$ o
华中科技大学、华中科技大学鄂州工研院技术研究院、优炜芯
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9、III族氮化物半导体强极化的实验测定
; M5 L0 D2 \. z北京大学、华东师范大学联合研究团队6 `' T* x, C7 T4 q; G
/ X& {2 P& }1 z+ Y10、氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术
3 L" D- e' G$ O9 n5 c/ K( Z$ l7 D: K南京大学、厦门大学、元旭半导体、国兆光电
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- y; ]- {- v, W) p! O7 ~$ {http://www.casa-china.cn/plus/view.php?aid=987 |
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