|
|
发表于 2025-12-12 15:34:52
|
显示全部楼层
2025年度中国第三代半导体技术十大进展( L. t% q( w& S+ [. m: g
6 `+ F1 d9 c; {* {. K& [5 o1、全系列12英寸碳化硅衬底全球首发9 s0 F6 Q$ `8 i5 e
山东天岳先进科技股份有限公司( t { T! x( [6 ^% J; l- F
8 [+ m+ h/ x% J+ E' O c3 \9 J2 p4 B
2、万伏级碳化硅MOSFET器件的研制及其产业化技术. N7 N# Y, F1 O& \0 Q- `
浙江大学盛况团队
# T1 U7 _6 q4 f0 A: M: {; i5 x# O+ |6 z3 T& Z9 y0 |8 ?) \
3、基于氮化镓 Micro-LED的高速,低功耗光通信芯片技术! t9 C6 o- O9 ~5 N: P
南京大学、复旦大学、厦门大学、吉林大学、南京邮电大学、国家第三代半导体技术创新中心(苏州): m" o4 _) l) `- r6 Y
4 P9 J. f+ ?* k+ r' b
4、8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破. u0 E5 C0 ^" _8 @) C6 L
杭州镓仁半导体有限公司.
! x- ?. q2 Q* i( h" d
' H( L, j! `9 t# p& W! f9 l, ?5、低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术
1 ?5 d) g2 G5 A# `山东大学徐现刚团队
: p2 H3 f O* r' K: W1 O' X, O6 G+ C- [3 i# T
6、8英寸碳化硅Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发
( ?4 U2 E3 ^! o5 y/ _" q+ W$ ^深圳平湖实验室、深圳市鹏进高科技有限公司8 D1 f, Q h% @4 J o, ?
/ s7 ?! R+ O5 E, c+ C2 E$ i7、国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破
! |8 b. g) q4 i9 t5 K: \5 Q3 U# W$ b三安光电、中微公司 ( O9 i. J: r. x- v6 v$ y J
" B9 X6 V+ ^# D, |- O6 C/ w8 L8、AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术研究
4 U, b, V/ I: N. a& a华中科技大学、华中科技大学鄂州工研院技术研究院、优炜芯( c2 o" C3 g$ l E$ T# J
- X8 u! i% t( A" W: O
9、III族氮化物半导体强极化的实验测定! G# l3 H+ m. {. W
北京大学、华东师范大学联合研究团队
O, V% }) t: h/ Z: d4 ~4 d4 s: [. J9 i- y& H
10、氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术
6 |1 I, t" t' C) B& `6 Q南京大学、厦门大学、元旭半导体、国兆光电
9 t$ f9 j' r. l( w# ^. s
+ W( h i/ |1 X- r; z8 \' T; u/ m& N: S. E8 `
http://www.casa-china.cn/plus/view.php?aid=987 |
|