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2025年度中国第三代半导体技术十大进展( ]( X, K( d& M- y7 `, R& }
! h W0 s( |8 A. i8 J9 [" p1、全系列12英寸碳化硅衬底全球首发- r& l C8 l0 r, j$ V
山东天岳先进科技股份有限公司1 c h: Q9 |" G4 G
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2、万伏级碳化硅MOSFET器件的研制及其产业化技术) N Y! u5 Q& Y0 P1 z8 ?
浙江大学盛况团队
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3、基于氮化镓 Micro-LED的高速，低功耗光通信芯片技术
) u- c( m4 l2 E ~1 t9 I" Q% I1 L南京大学、复旦大学、厦门大学、吉林大学、南京邮电大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
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; O& R7 N; b% e" ^( y% r4、8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破2 c0 w9 r" u3 i. e3 u$ S
杭州镓仁半导体有限公司.: x v/ h8 t5 K& E( Y, y* k
7 [3 c( `3 b$ y5、低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术
" \5 [/ {' U' e3 r) ^6 Y山东大学徐现刚团队
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6、8英寸碳化硅Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发
) e5 C1 B9 _% j6 |: t- ~0 v8 I深圳平湖实验室、深圳市鹏进高科技有限公司' j2 ^4 U1 Z# w+ J
/ e" G5 a% x1 C) N0 X( \8 j7、国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破& A) A8 y3 H' p9 ]5 H7 L2 l
三安光电、中微公司 ! O4 C& ?" b" E- N( Q& n, m3 Y
7 a+ G" ], G& K* _, n1 F% P; N8、AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术研究
) ~5 N2 {3 R) ^ Y+ G& R, e9 m* B华中科技大学、华中科技大学鄂州工研院技术研究院、优炜芯
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9、III族氮化物半导体强极化的实验测定 W4 N& ]" v* \& i5 d0 @
北京大学、华东师范大学联合研究团队
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10、氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术
' y/ j- y7 R/ \3 F, w+ d6 j南京大学、厦门大学、元旭半导体、国兆光电
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) K9 R! R4 M2 Q; M. `0 k, ~http://www.casa-china.cn/plus/view.php?aid=987 |
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